[发明专利]掺铈铝酸钇晶体的生长方法

摘要

一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法，包括下列步骤：按反应方程式Al₂O₃+(1－x－y)Y₂O₃+2xCeO₂+ySc₂O₃＝2Y_1－x－yCe_xSc_yAlO₃+x/2O₂其中0.2％≤x≤2.0％，x≤y≤3x。先选定x和y，再按相应的摩尔百分比称取原料Y₂O₃，Sc₂O₃，Al₂O₃，CeO₂；将原料机械混合均匀后，用压料机在20kg/cm²的压力下压制成块，然后在1000℃下烧结10小时，装炉，抽真空，充高纯氮气，升温熔化，生长晶体。生长晶体后，缓慢降至室温，取出晶体。晶体无色透明完整，晶体的位错密度为10²－10⁴/cm²，晶体的闪烁性能提高5－15％。

主权项

1、一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法，其特征在于包括下列步骤：①在原料配方中，掺CeO2的同时，掺入一定量的Sc2O3；②按以下反应方程式，其中0.2％≤x≤2.0％，x≤y≤3x先选定x和y，再按相应的摩尔百分比称取原料Y2O3，Sc2O3，Al2O3，CeO2；③将原料机械混合均匀后，用压料机在20-40kg/cm2的压力下压制成饼，然后在1000-1600℃烧结10-20小时，形成烧结饼；④将烧结饼装入中频感应加热单晶炉，抽真空，充入高纯氮气，升温化料，准备生长；⑤生长晶体，生长条件为：提拉速度为1-3mm/h，旋转速度为10-20rpm；⑥生长晶体后，缓慢降至室温，取出晶体。