[发明专利]用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具无效
| 申请号： | 03151154.6 | 申请日： | 2003-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1527450A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;黄占超;劳燕锋;沈勤我;齐鸣;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70％，阈值电流降低25％左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体激光器 后腔面 反射率 及其 镀膜 夹具 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体激光器后腔面的高反射膜系结构，其特征在於高反射膜系依次由(1-/π)×λ/4n厚相位匹配的氧化物介质薄膜、80-150nm厚金属膜、50nm厚的氧化物介质保护膜组成，式中λ为激光器激射波长，为金属膜反射激光时的绝对相移，n为氧化物介质薄膜的折射率。
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