[发明专利]一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法无效
| 申请号： | 03151252.6 | 申请日： | 2003-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1529349A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 董业民;王曦;陈猛;陈静;李志坚;田立林;何平;林羲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm－2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1％～5％。(4)CMOS工艺完成器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 对准 绝缘体 纳米 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，其特征在于将侧墙技术、SIMOX技术和CMOS工艺相结合，用侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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