[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 03152233.5 | 申请日： | 2003-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1495794A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 筱原寻史 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高设有冗余电路的半导体存储装置的制造成品率的技术。半导体存储装置(1)中包括：标准RAM2，相对标准RAM2独立设置并作为冗余电路起作用的RAM3，以及用冗余RAM3的冗余存储单元阵列置换标准RAM2的标准存储单元阵列的控制部分4。控制部分(4)能用构成冗余存储单元阵列的多个冗余存储单元中的一部分，置换标准存储单元阵列。因此，能够不使用有缺陷的冗余存储单元地将发生生缺陷的标准存储单元阵列加以置换。结果，提高了半导体存储装置(1)的制造成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其中设有：含有标准存储单元区的第一存储装置，相对所述第一存储装置独立设置的、含有冗余存储单元区的第二存储装置，以及预先对所述标准存储单元区规定在补救发生缺陷的所述标准存储单元区时被使用的置换对象单位，并在所述标准存储单元区上实际发生缺陷时，用构成所述冗余存储单元区的多个冗余存储单元的一部分，置换所述标准存储单元区的所述置换对象单位的控制部分；与所述置换对象单位对应的数据的比特数，小于所述第一存储装置中单位数据的比特数。
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