[发明专利]设有含磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置无效
| 申请号： | 03152245.9 | 申请日： | 2003-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1505039A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在MRAM器件中，将存储块(MA)分为四个区(A～D)，对应于四个区(A～D)分别设置四个恒流电路(13～16)。位线驱动器(10～12)从四个区(A～D)按每区两条选择八条位线(BL)，在各位线(BL)上流入对应于该位线(BL)的恒流电路的输出电流。因此，能够稳定流入位线(BL)的写入电流，且能够进行稳定的数据写入。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 隧道 存储 单元 薄膜 磁性 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：各自以磁的方式将数据信号存储的多个存储单元；分别对应于所述多个存储单元设置的多条数据写入线；输出预定恒流的恒流电路；以及依据地址信号选择所述多个存储单元中的任意存储单元的、在对应于选中的存储单元的数据写入线上流入所述恒流电路的输出电流以向该存储单元写入数据信号的写入电路。
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