[发明专利]具记忆胞元排列之半导体内存

摘要

一种具有新颖的几何学之记忆胞元阵排列之半导体内存被提出。并未缩减储存电容器器器之间的距离，这些电容器器器彼此最紧密的相邻，在相邻的线路之间以特殊的字符线路建构额外的线路是可能的。在一较佳实施例中，具有维持相同的记忆胞元数目所需要的字符线路的数目是被降低的，导致该字符线路驱动器被节省以及基板面积被获得。

主权项

1.一具有记忆胞元排列之半导体内存，该等胞元被连接至第一线路，该第一线路沿着第一方向行进，以及连接至第二线路，该第二线路沿着第二方向行进并且与第一线路相交，并且每个胞元具有一储存电容器器器以及一铅直选择晶体管，在记忆胞元的排列中，一记忆胞元被连接至每一个第一线路以及第二线路之交叉点，其特征系每一条第二线路与记忆胞元连接在一起，该等储存电容器器器被间隔地安排在各个第二线路的两侧而相对于第二线路侧向偏移。