[发明专利]具有形成在多层布线结构中电容器的半导体器件

摘要

具有成形于多层布线结构中电容器的半导体器件，该半导体器件包含多层布线结构，该结构包括成形于基片上的许多布线层，放置在多层布线结构中预定布线层中并具有下电极、介电薄膜以及上电极的电容器、成形于预定布线层中并与电容器上部电极的顶面相连的第一通路，还有成形于堆叠在预定布线层上的上覆盖布线层中的第二通路，该第二通路成形于第一通路上。

主权项

1.一种具有成形于多层布线结构中电容器的半导体器件，所述半导体器件包含：包括许多成形于基片上布线层的多层布线结构；放置在多层布线结构中预定布线层中的电容器，其具有下电极、介电薄膜和上电极；成形于所述预定布线层并与所述电容器上电极的顶面相连的第一通路；以及成形于堆叠在所述预定布线层上的上覆盖布线层中的第二通路，所述第二通路成形在所述第一通路上。