[发明专利]采用微结构间隙控制技术形成的结构及其形成方法无效
| 申请号： | 03152281.5 | 申请日： | 2003-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1576230A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄荣山;陈央嶙 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种采用微结构间隙控制技术形成的结构及其形成方法，是利用硅的非等向性湿蚀刻方式，将一硅芯片蚀刻为上下结构两部分且分开微加工，再利用阳极接合的技术，将上下结构两部分与一玻璃基材接合，即可制作出一可精确控制上下结构高度的微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 微结构 间隙 控制 技术 形成 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用微结构间隙控制技术形成的结构，其包括有：一第一结构部分，其包含一第一微结构，以及一凹槽；一第二结构部分，其包含一第二微结构，以及一岛形结构物，并容置于该第一结构部分的该凹槽中；以及一玻璃基板，与该第一结构部分及该第二结构部分接合，用以承载该第二结构部分并连结该第一结构。
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