[发明专利]相变光学记录媒体无效
| 申请号： | 03152302.1 | 申请日： | 2003-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1577546A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈种发;钟利群 | 申请（专利权）人： | 铼德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/004 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可重写型光学信息记录媒体及其记录方法，其包含基板及形成在该基板上的相变层，该相变层的组分范围以GexSbyMz来表示，其中x＝5～25原子百分比(at.％)，y＝70～90原子百分比(at.％)，z＝2～25原子百分比(at.％)，x+y+z＝100，其中M择自下列元素所组成的族群：B、O、N、P、Bi、In、Ga、Sn、Pb、Si、Ag、Au、Ti、Zr、Cr、Ni、Hf、V、Nb、Ta、Mn、W、Mo和Ce。相变层具有较低的结晶温度，因此在以激光束进行擦除时，可减少该相变层由非晶态结构转换为结晶态结构的时间，从而提高其结晶速度，可作为新式可重写型光学信息记录媒体的相变层，并可应用于高倍速可重写型光学信息记录媒体。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 光学 记录 媒体 | ||
【主权项】：
1.一种可重写型光学信息记录媒体，包含：基板及形成在该基板上的相变层，该相变层的组分范围以GexSbyMz来表示，其中x＝5～25原子百分比(at.％)，y＝70～90原子百分比(at.％)，z＝2～25原子百分比(at.％)，x+y+z＝100；其中M择自下列元素所组成的族群：B、O、N、P、Bi、In、Ga、Sn、Pb、Si、Ag、Au、Ti、Zr、Cr、Ni、Hf、V、Nb、Ta、Mn、W、Mo和Ce。
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