[发明专利]半导体模块及制造半导体模块的方法有效
申请号: | 03152365.X | 申请日: | 2003-07-30 |
公开(公告)号: | CN1477688A | 公开(公告)日: | 2004-02-25 |
发明(设计)人: | 格尔德·弗兰科夫斯克基;哈丽·黑德勒;芭芭拉·瓦斯克斯 | 申请(专利权)人: | 印芬龙科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 龚海军 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于制造半导体电路模块(31)的方法,该方法包括如下步骤:将具有图形的连接层(11)加到转移衬底(10)上;将具有指向转移衬底(10)的接触区(12’、13’)的有源电路器件(12)和/或无源电路器件(13)加到这个具有图形的连接层(11)上;电路器件(12、13)借助于至少设在电路器件(12、13)之间的填充物(14)相互连接;除去转移衬底(10);并施加电连接器件(16),用于对电路器件(12、13)的接触区(12’、13’)进行选择性的接触连接。本发明还以相似的方式提供一种半导体电路模块。 | ||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.用于制造半导体电路模块(31)的方法,该方法包括如下步骤:将具有图形的连接层(11)加到转移衬底(10)上;将具有指向转移衬底(10)的接触区(12’、13’)的有源电路器件(12)和/或无源电路器件(13)加到这个具有图形的连接层(11)上;电路器件(12、13)借助于至少设在电路器件(12、13)之间的填充物(14)相互连接;除去转移衬底(10);并施加电连接器件(16),用于对电路器件(12、13)的接触区(12’、13’)进行选择性的接触连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于印芬龙科技股份有限公司,未经印芬龙科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03152365.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备零收缩率低温共烧陶瓷多层基板的工艺
- 下一篇:电子部件安装设备及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造