[发明专利]具有多个叠置沟道的场效应晶体管有效
| 申请号： | 03152492.3 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1487599A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;朴东楗;李昌燮;崔晶东;李信爱;金成澔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 集成电路场效应晶体管包括具有表面以及表面上的有源区沟道图形的衬底。有源区图形包括相互叠置的多个沟道并相互隔开以定义至少一个隧道，隧道位于各相邻沟道之间。栅电极环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道。也提供一对源/漏区。通过在衬底表面上形成预有源图形制备集成电路场效应晶体管。预有源图形包括一系列中间沟道层以及相互交替叠置的沟道层。源/漏区形成在衬底上的预有源图形相对端。选择性地除去多个中间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定出包括隧道和包括沟道层的多个沟道的有源沟道图形。栅电极形成在隧道中并环绕沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多个叠置 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路场效应晶体管器件，包括：具有表面的衬底；有源沟道图形，包括相互叠置并相互隔开的多个沟道，以限定出至少一个隧道，每个隧道位于相邻的各沟道之间；栅电极，环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道；以及一对源/漏区，每个区位于有源沟道图形的相对侧的每一个的表面上，并电连接到多个沟道。
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