[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 03152509.1 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1481002A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 柴田和孝 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，接合形成在第一半导体衬底上的第一金属凸起和形成在第二半导体衬底上的第二金属凸起。该方法包括：在所述第一金属凸起和所述第二金属凸起中的至少一方的顶端部形成由低熔点金属构成的层的低熔点金属层形成步骤；在使所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底分开的状态下，使所述第一半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以上的第一温度，且使所述第二半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以下的第二温度的衬底温度调整步骤；该衬底温度调整步骤之后使所述第一金属凸起和所述第二金属凸起接近的金属凸起接近步骤；在该金属凸起接近步骤之后使第一半导体衬底和第二半导体衬底为低熔点金属的固相线温度以下的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，是接合形成在第一半导体衬底上的第一金属凸起和形成在第二半导体衬底上的第二金属凸起的半导体装置的制造方法，包括：在所述第一金属凸起和所述第二金属凸起中的至少一方的顶端部形成由低熔点金属构成的层的低熔点金属层形成步骤；在使所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底分开的状态下，使所述第一半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以上的第一温度，并且使所述第二半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以下的第二温度的衬底温度调整步骤；该衬底温度调整步骤之后，使所述第一金属凸起和所述第二金属凸起接近的金属凸起接近步骤；在该金属凸起接近步骤之后，使所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以下的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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