[发明专利]多位元堆叠式非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种多位元堆叠式非易失性存储器及其制造方法。制造方法包括步骤形成一图案化含砷介电层于半导衬底上，其中图案化含砷介电层定义一开口为有源区域。形成介电间隙壁于图案化含砷介电层的侧壁，以及栅极介电层于半导体衬底的表面。利用热驱动法使图案化含砷介电层的砷原子扩散至半导体衬底内而形成源极/漏极区域。形成间隙壁浮置栅于介电间隙壁的侧壁及栅极介电层上。形成层间介电层包覆间隙壁浮置栅。形成控制栅层位于层间介电层上，并填满有源区域的开口。

主权项

1.一种形成堆叠式非易失性存储器的方法，包括：提供一半导体衬底；形成一图案化含砷介电层于该半导体衬底上，其中该图案化含砷介电层定义一第一开口，且该第一开口曝露出该半导体衬底的一部分及该图案化含砷介电层的一侧壁；形成一介电间隙壁于该图案化含砷介电层的侧壁；形成一源极/漏极区域于该半导体衬底；形成一栅极介电层于该曝露的半导体衬底上；形成一间隙壁浮置栅于该介电间隙壁的一侧壁，且该间隙壁浮置栅位于该栅极介电层之上；形成一层间介电层覆盖该间隙壁浮置栅；以及形成一控制栅层覆盖该第一开口。