[发明专利]高压处理设备有效
申请号: | 03152641.1 | 申请日: | 2003-08-04 |
公开(公告)号: | CN1480993A | 公开(公告)日: | 2004-03-10 |
发明(设计)人: | 渡边克充;石井孝彦;猿丸正悟;山根秀士 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种用于将压力介质供给到高压处理腔(4)中的高压处理设备,该高压处理腔形成在压力容器(1)中以便处理工件。该压力容器包括可轴向彼此分离的第一容器部(2)和第二容器部(3),其中高压处理腔形成于第一容器部和第二容器部之间。另外,用于紧密密封高压处理腔的端面密封部(5)邻接第一容器部和第二容器部而形成。设置有用于向该端面密封部提供轴向力的压力机设备(7),并且该压力机设备在对应于压力容器的轴向中心的位置处具有用于放置例如搅动器等的辅助设备的空间。这种构形实现了这样一种端面密封形式的高压处理设备,例如搅动器等的辅助设备安装在该高压处理设备上。 | ||
搜索关键词: | 高压 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种高压处理设备,其包括:包括第一容器部和第二容器部的压力容器,该第一容器部和第二容器部可轴向彼此分离,以便在形成于所述第一容器部和第二容器部之间的高压处理腔中使用高压介质来处理工件;形成在所述第一容器部和第二容器部之间的接触区域中的端面密封部,以用于密封所述高压处理腔;用于向该端面密封部提供轴向力的压力机设备,所述压力机设备这样设置,以便通过接触与所述第一容器部相对的所述第二容器部的表面的一部分来压靠所述第二容器部;和用于改变所述高压处理腔中的状况的辅助设备,所述辅助设备这样设置,以便与所述第二容器部的该表面的一部分相接触,该表面由所述压力机设备来施压,并且该表面的所述部分不与所述压力机设备接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造