[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03152677.2 | 申请日： | 2003-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1481054A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 小野泽和利;上田哲三;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其特征为：包括：在主面上具有复数个凹槽部分的衬底；分别嵌入上述复数个凹槽部分每一个中的复数个半导体激光元件；上述各个半导体激光元件，是让激光从端面射出的端面射出型半导体激光元件；上述各个凹槽部分，形成为使上述各个半导体激光元件的射出方向相互一致的。
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