[发明专利]氮化硅和碳化硅一维纳米结构及其制备方法无效
| 申请号： | 03152915.1 | 申请日： | 2003-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1491885A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 胡征;霍开富;陆斌;马延文;王喜章;陈懿 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C01B31/36 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种生长一维Si3N4和SiC纳米结构的方法，以含硅20～80％金属合金粒子为“催化剂”并提供硅源，以含氮或碳的气体或固体为氮源和碳源，高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子得到Si3N4和SiC一维纳米结构，高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子的温度范围为1200－1600℃。含硅的金属合金粒子主要为Fe－Si、Ni－Si、Co－Si、Fe－Ni－Si、Fe－Co－Si、等。本发明方法引入了分别从气相(或固相)前驱物及“催化剂”合金两个渠道分别提供产物所需组元，并在催化剂液滴中发生化学反应生成目标产物这一关键环节。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 碳化硅 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长一维Si3N4和SiC纳米结构的方法，其特征在于以含硅20～80％金属合金粒子为“催化剂”并提供硅源，以含氮或碳的气体或固体为氮源和碳源，高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子得到Si3N4和SiC一维纳米结构，高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子的温度范围为1200-1600℃。
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