[发明专利]多栅极晶体管的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种多栅极晶体管的结构及其制造方法，此结构包括一垂直半导体鳍状体、一栅极介电层、一栅极电极与一源极与一漏极。半导体鳍状体位于一基材上方，基材包括覆盖于一蚀刻终止层上方的一第一绝缘层，第一绝缘层在半导体鳍状体底部形成一底切，栅极介电层位于半导体鳍状体表面，栅极电极位于栅极介电层表面，而源极与漏极分别座落于栅极电极两侧，并位于半导体鳍状体中。

主权项

1、一种多栅极晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包括下列步骤：形成一半导体层于一绝缘堆栈层上方，该绝缘堆栈层包括覆盖于一蚀刻终止层上方的一第一绝缘层；图案化该半导体层，借以形成一半导体鳍状体；形成一底切于该半导体鳍状体底部的该第一绝缘层；形成一栅极介电层于该半导体鳍状体表面；沉积一栅极材料层于该栅极介电层表面；图案化该栅极材料层，借以形成一栅极电极而跨接于该半导体鳍状体侧壁与顶部表面；以及形成一源极与一漏极于该半导体鳍状体中。