[发明专利]分离栅极快闪内存单元的字符线结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03153009.5 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1581463A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 喻中一;罗际兴;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种分离栅极快闪内存单元(Split Gate FlashMemory Cell)的字符线(Word Line)结构及其制造方法。此方法先提供分离栅极快闪内存单元的栅极结构，其中此栅极结构上形成有字符线的材料层。再在此字符线材料层上形成覆盖层。接着，利用化学机械研磨(CMP)技术移除部分的覆盖层与部分的字符线材料层。在暴露的字符线材料层的表面上形成氧化层后，去除剩下的覆盖层及其下方的字符线材料层，从而形成分离栅极快闪内存单元的方型(Box－shape)字符线。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 栅极 内存 单元 字符 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种分离栅极快闪内存单元的字符线的制造方法，其特征在于，至少包括：提供一基材，其中部分该基材上至少已形成该分离栅极快闪内存单元的一栅极结构，而且该栅极结构的侧壁至少包括一间隙壁；形成一介电层位于该栅极结构与该基材上；形成一导电层位于该介电层上；形成一覆盖层位于该导电层上；进行一平坦化步骤直至暴露出该间隙壁为止；以及去除剩余的该覆盖层及该覆盖层下方的该导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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