[发明专利]具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法

摘要

一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法。一具有第一导电性的掺杂导电层是形成于位元线上。一具有光罩式只读存储器编码图案的光阻层形成于掺杂导电层上方的一介电层上，以供作一蚀刻罩幕，藉以形成多个开口于此介电层中掺杂导电层曝露的部分区域上方。执行一离子植入步骤，以形成具有电性与第一导电性相反的第二导电性的一扩散区于掺杂导电层的每一曝露的部分区域中。藉此，曝露的部分掺杂导电层与形成于其中的扩散层构成一二极管单元(diode cell)，以供做一存储胞。一接触插塞形成于每一开口中，并抵靠一二极管单元。一导电层形成于接触插塞上方，以供形成字元线。

主权项

1.一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括：提供一半导体基底；于该半导体基底形成一具有第一导电性的埋置扩散层；于该半导体基底中形成多个隔离区，使得该埋置扩散层形成多条位元线；于该埋置扩散层及该隔离区上方形成一介电层；于该介电层中形成多个开口；于该开口中形成一具有第二导电性的扩散区，该第二导电性的电性与该第一导电性的电性相反；于每一该开口中形成一接触插塞；及于该介电层及该接触插塞上形成一导电层，以供形成字元线。