[发明专利]真空断路器有效
| 申请号： | 03153054.0 | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1485870A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 奥富功;草野贵史;山本敦史;南淑子;本间三孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664;H01H1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明通过使Cu－W合金或Cu－WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量％的Cu形成的导电性成分相和50～90重量％的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1－T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1－T2)×100/(T1)]在2.8％以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 断路器 | ||
【主权项】：
1.真空断路器，其特征在于，具备接点，该接点由含有导电性成分和耐弧性成分的合金所形成的触点材料构成，所述耐弧性成分由Cr、W、WC、Mo、MoC中的任何一种形成，升温过程中所述触点材料中的所述导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的所述导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1-T2)值与所述熔融起始温度T1的比率，即[(T1-T2)×100/(T1)]在所述耐弧性成分为Cr时在3.5％以下，在所述耐弧性成分为W、WC、Mo、MoC中的任一种时在2.8％以下。
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