[发明专利]使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程有效
| 申请号： | 03153190.3 | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1514477A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 林思宏;张文;章勋明;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程，其制程步骤包括：提供一基底；依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于上述基底上，其中上述第二蚀刻停止层是为一无氮介电材料的停止层，而此第一蚀刻停止层是为碳化硅(SiC)层；形成一介电层于该第二蚀刻停止层上；依序定义上述介电层、第二蚀刻停止层以及第一蚀刻停止层以构成至少一开口于上述基底上，并露出开口内的基底；以及形成一导电层于上述开口内。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 无氮介电 蚀刻 停止 半导体 元件 及其 | ||
【主权项】：
1.一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体制程，包括下列步骤：提供一半导体基底；依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于该半导体基底上，其中该第二蚀刻停止层是为一无氮介电材料(N-free dielectric)的蚀刻停止层，而该第一蚀刻停止层是为碳化硅(SiC)层；形成一介电层于该第二蚀刻停止层上；依序定义该介电层、该第二蚀刻停止层以及该第一蚀刻停止层以构成复数个开口于该基底上，并露出该开口内的半导体基底；形成一导电层于该开口内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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