[发明专利]一种传声器芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及传声器芯片结构和制备方法，包括一n－型硅基片，在硅基片的正面扩散硼形成p+型搀杂层，在其上通过沉积二氧化硅并光刻、腐蚀成隔离层，在隔离层上附着一振动膜层，振动膜层之上沉积金属铝膜和方形铝电极；在硅基片的反面有一层氮化硅保护膜，从硅基片的底面腐蚀出一梯形缺口，该梯形缺口的深度至p+型搀杂层，垂直于该搀杂层腐蚀出声学孔形成穿孔背板，穿孔背板与振动膜层之间为空气隙；所述的隔离层为圆环状。该传声器芯片制备方法简单；芯片由不同的金属材料分别制成圆环形的隔离层和圆形的牺牲层，在实现圆形结构的同时，实现褶皱环的制作，减小振动膜的应力，避免时效破裂；提高了传声器灵敏度。

主权项

1、一种传声器芯片，包括一n-型硅基片(1)，在硅基片(1)的正面扩散硼形成p+型掺杂层(3)，在p+型掺杂层(3)上面沉积二氧化硅并光刻、腐蚀成隔离层(4)，隔离层(4)上附着一层氮化硅做的振动膜层(6)，振动膜层(6)之上沉积金属铝膜，并光刻、腐蚀成圆形铝膜和方形铝电极(9)；在硅基片(1)的背面有一层氮化硅保护膜(10)，从硅基片(1)的底面腐蚀出一梯形缺口，该梯形缺口的深度至p+型掺杂层(3)，并在垂直于p+型掺杂层(3)的方向上腐蚀出声学孔(7)，形成一穿孔背板，穿孔背板与振动膜层(6)之间为空气隙(8)；其特征在于：所述的隔离层(4)为圆环形，其厚度为0.5～6微米，内径为500～3000微米，径向宽度为50～300微米；所述的空气隙(8)为圆形，其厚度为0.5～5微米，直径比圆环形隔离层(4)的内径大1～10微米；所述的振动膜层(6)为圆形，其厚度为0.1～1微米，直径500～3000微米。