[发明专利]提供适当编程电压的非易失性半导体存储设备有效
| 申请号： | 03153352.3 | 申请日： | 2003-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1484247A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 笠靖;加藤让二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储设备，包括多个各具有非易失性存储单元阵列的块，和向非易失性存储单元阵列提供编程电压的编程电压发生电路，其中，编程电压发生电路根据用于选择所述多个块中一个的第一地址信号和指示写入访问存储单元在所选择的一个块中的位置的第二地址信号，对编程电压进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 适当 编程 电压 非易失性 半导体 存储 设备 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储设备，包括：多个各具有非易失性存储单元阵列的块；以及编程电压发生电路，向非易失性存储单元阵列提供编程电压，其中，所述的编程电压发生电路根据用于选择一个所述块的第一地址信号，和指示写入访问存储单元在所述一个块中的位置的第二地址信号，而对编程电压进行调节。
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