[发明专利]基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法

摘要

本发明基于区熔硅单晶的双极光晶体管采用区熔硅单晶片来制作。由于区熔硅单晶的生长不需要坩埚，在制备过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔硅单晶比直拉硅单晶或其它半导体单晶材料有更高的纯度、更少的杂质缺陷。采用区熔硅单晶制作的双极器件，缺陷(包括重金属杂质)少，因而产生复合中心少，少子的寿命长，能够极大地提高双极光晶体管小信号增益特性，提高探测微弱光信号的灵敏度。本发明采用器件背面接受光入射来探测光信号的方法，能够克服正面金属电极的遮光作用以及发射区硅材料的吸光效应，有利于提高双极光晶体管的性能。

主权项

1、一种新型双极光晶体管，其特征在于：制作该器件的半导体材料为高纯区熔硅单晶片，每个器件由二个pn结组成，所述二个pn结之间夹一导电层，称为基区；所述二个pn结外的导电层分别称为发射区和集电区；基区与发射区、集电区交界处形成发射结和集电结；发射区外侧制有称为发射极的电极、集电区的外侧制有称为集电极的电极，基区外侧可以有称为基极的电极也可以无电极。