[发明专利]喷墨记录头衬底、喷墨记录头及喷墨记录装置有效

专利信息
申请号: 03153397.3 申请日: 2003-08-12
公开(公告)号: CN1490162A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 今仲良行;藤田桂;小塚开;下津佐峰生;早川幸宏;初井琢也;望月无我;竹内创太;森井崇;山口孝明;久保康祐 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14;H01L29/78
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 季向冈
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下,其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力,第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上,将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。
搜索关键词: 喷墨 记录 衬底 装置
【主权项】:
1.一种喷墨记录头衬底,其特征在于包括:第一导电型半导体衬底,其上设置有:多个电热转换器,共同连接到上述多个电热转换器并连接到驱动电源、用于为上述多个电热转换器提供电力的第一布线,用于将上述多个电热转换器接到接地电位上的第二布线,以及设置在该第二布线和上述电热转换器之间、用于给上述多个电热转换器建立电连接的多个开关元件;并且其中在上述衬底中的上述开关元件是绝缘栅型电场效应晶体管,包括:第一半导体区域,设置在上述半导体衬底的一个主表面上的第二导电型;第一导电型的第二半导体区域,设置在上述半导体衬底的上述表面上,且与上述第一半导体区域邻接设置用于提供沟道区域,由与上述第一半导体区域相比杂质浓度更高的半导体构成;第二导电型的源极区域,部分地设置在上述第二半导体区域的与上述半导体衬底相反的表面上;第二导电型的漏极区域,部分地设置在上述第一半导体区域的与上述半导体衬底相反的表面上;栅极电极,通过栅极绝缘膜设置在上述沟道区域上;并且其中连接在上述源极区域一侧的上述第二布线的布线电阻小于连接在上述漏极区域一侧的上述第一布线的布线电阻。
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