[发明专利]表面发射型半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 03153544.5 | 申请日： | 2003-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1508915A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 山本将史;樱井淳 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种表面发射型半导体激光器，包括：衬底；形成在衬底上并包括第一导电类型的半导体层的第一反射镜；包括第二导电类型的半导体层的第二反射镜；设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区；设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层；和无机绝缘膜，台面结构，至少包括第二反射镜和电流限制层，无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109 达因/cm2的内应力。
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