[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 03153777.4 | 申请日： | 2003-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1485852A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 清水宏 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C11/4094;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器。第一放大器放大连接到静态存储单元的第一局部位线的电压。用于对连接第一放大器的一输出端的第一全局位线预充电的预充电电路分别通过第一全局位线的两端提供预充电电流。由于预充电电流以两个方向流过第一全局位线，所以电迁移评价标准可以比电流以一个方向流过的情况宽松。这就避免了由于第一全局位线的电迁移而产生的缺陷。由于第一全局位线的布线宽度可以减小，因此可以使布图面积最小化。因此，可以减小半导体存储器的芯片尺寸并降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器，包括：多个存储区，每个存储区具有多个静态存储单元、连接到所述静态存储单元的第一局部位线以及用于放大所述第一局部位线的电压的第一放大器；第一全局位线，连接到所述第一放大器的输出端，以便传送被每个所述存储区的所述第一放大器放大的读取数据；和多个预充电电路，分别连接到所述第一全局位线的两端，以便将所述第一全局位线预充电到第一电源电压。
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