[发明专利]具有多重闸极及应变的通道层的晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 03153891.6 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1503372A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 具有多重闸极及应变的通道层的晶体管的结构包括由垂直型半导体层构成的源极、汲极和通道区所构成的晶体管，以及用以使通道区中具有一应变的应力层。其中，闸极绝缘层位于垂直型鳍形半导体层的通道区表面，闸极电极位于闸极绝缘层上，并包覆对应于通道区的垂直型鳍形半导体层的两侧壁和一顶面。此外，本发明并提供具有多重闸极及应变的通道层的晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多重 应变 通道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有多重闸极及应变的通道层的晶体管，其特征在于所述晶体管包括：一基底；一垂直型鳍形半导体层位于该基底上，该垂直型鳍形半导体层具有一源极、一汲极以及位于该源极和该汲极之间的一通道区，且该垂直型鳍形半导体层中具有一应变；一闸极绝缘层位于该垂直型鳍形半导体层的该通道区表面；以及一闸极电极位于该闸极绝缘层上，并包覆对应于该通道区的该垂直型鳍形半导体层的两侧壁和一顶面。
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