[发明专利]多重闸极介电层的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03153952.1 | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1516242A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供多重闸极介电层的制造方法及其结构。其中一种方法是为于具有原生氧化层的半导体基底上沉积一高介电常数介电层，其介电常数大于8。之后，移除高效能组件区的高介电常数介电层，使高介电常数介电层做为低漏电流组件区的一闸极介电层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 闸极介电层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多重闸极介电层的制造方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底表面具有一原生氧化层，该半导体基底包含一高效能组件区和一低漏电流组件区；于该半导体基底上沉积一高介电常数介电层，该高介电常数介电层的介电常数大于8；以及移除该高效能组件区的该高介电常数介电层，使该高介电常数介电层做为该低漏电流组件区的一闸极介电层的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03153952.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成穿透电极的方法以及具有穿透电极的基片
- 下一篇：金属膜内晶粒生长控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
