[发明专利]具有不对称包覆导体的磁随机存取存储器有效
| 申请号： | 03154091.0 | 申请日： | 2003-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1527319A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | M·K·巴塔查里亚;T·C·安东尼 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种用于磁场敏感型存储单元10的不对称包覆导体结构。跨过存储单元10的导体(11，15)之一或两者可包括覆盖导体(11，15)的顶面(11t，15t)和相对侧面(11s，15s)的仅一部分的不对称覆层(13，17)，这样，相对侧面(11s，15s)上的覆层(13，17)在远离存储单元10的数据层2的方向上沿相对侧面(11s，15s)凹进。覆层(13，17)凹进偏距(D1，D2或T1，T2)。不对称覆层(13，17)增加了闭合磁路的磁阻Rg，导致与数据层2的磁耦合减小。存储单元10的纵横比AR可减小，从而增加面密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不对称 导体 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种用于包括磁场敏感型存储单元10的磁存储器件的不对称覆层结构，它包括：第一导体11，它沿长度方向LD跨过所述存储单元10，并且包括顶面11t、两个侧面11s以及面对所述存储单元10放置的底面11b；第一不对称覆层13，它与所述顶面11t和所述两个侧面11s的仅仅一部分相连，并且包括沿所述两个侧面11s凹进且与所述存储单元10偏离第一距离D1的第一对极端13p；以及第二导体15，它沿宽度方向WD跨过所述存储单元10，并包括顶面15t、两个侧面15s以及面对所述存储单元10放置的底面15b。
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