[发明专利]共用位/源极线高密度一晶体管/一电阻型R－RAM阵列及其操作方法

摘要

本发明提供一种共用位线/共用源极线的高密度1T1R(一个晶体管/一个电阻)型R－RAM阵列，以及提供用于操作所述阵列的方法。该R－RAM阵列包括第一晶体管，其漏极连接到具有第一存储电阻的非－共享位线。第一、第二、第三和第四晶体管的栅极顺序地连接到一条共用字线。该R－RAM阵列包括至少一个共用位线。第二存储电阻插在第二晶体管的漏极与共用位线之间。同样地，第三存储电阻插在第三晶体管漏极与共用位线之间。共用源极线连接到第三和第四晶体管的源极。该R－RAM阵列包括m行n个连续的晶体管。

主权项

1.一种共用位线/共用源极线的高密度一个晶体管/一个电阻(1T1R)型R-RAM阵列，其中包括：具有栅极、源极和漏极的第二晶体管；具有栅极、源极和漏极的第三晶体管；共用位线；插在第二晶体管漏极与共用位线之间的第二存储电阻；和插在第三晶体管漏极与共用位线之间的第三存储电阻。