[发明专利]制造带有锥形平顶侧壁膜的半导体设备的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体设备的方法，其依次包括以下几个步骤：在底层绝缘膜上依次淀积金属、氮化物和氧化物膜，对氮化物膜和氧化物膜进行构图，使氧化物膜的构图区域小于氮化物膜的构图区域，利用所述氮化物膜和氧化物膜作为掩模对所述金属膜进行构图，在氮化物膜、氧化物膜和金属膜上形成具有锥形平顶结构的侧壁膜，用夹层电介质膜包埋侧壁氧化物膜，利用侧壁氧化物膜作为腐蚀停止器在夹层电介质膜和底层氧化物膜中形成一接触孔。

主权项

1.一种制造半导体设备的方法，依次包括以下步骤：在底层绝缘膜上淀积金属导电膜；依次在所述金属导电膜上淀积第一和第二绝缘膜；对所述第一和第二绝缘膜进行构图，以具有基本相同的构图区域；从所述第一绝缘膜有选择地腐蚀所述第二绝缘膜，使所述第二绝缘膜的宽度小于所述第一绝缘膜的宽度；利用所述第一和第二绝缘膜作为腐蚀掩模，对所述金属导电膜进行构图；在所述第一和第二绝缘膜以及所述底层绝缘膜上淀积第三绝缘膜；深腐蚀所述第三绝缘膜以成形至少覆盖所述构图的金属导电膜的侧壁膜；淀积第四绝缘膜以在其中包埋所述底层氧化物膜上的所述侧壁氧化物膜。