[发明专利]磁随机存取存储器无效
申请号: | 03154513.0 | 申请日: | 2003-05-15 |
公开(公告)号: | CN1482617A | 公开(公告)日: | 2004-03-17 |
发明(设计)人: | 岩田佳久;中島健太郎;徐向京;史达洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;H01L43/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种磁随机存取存储器。在设定电路登录用于确定写入字/位线电流的供给/切断定时,大小及其时间的变化(电流波形)的设定数据。写入电流波形控制电路,根据该设定数据,生成写入字线驱动信号、写入字线吸收信号、写入位线驱动信号和写入位线吸收信号。对每个芯片或者每个存储单元阵列控制写入字/位线电流的电流波形。 | ||
搜索关键词: | 随机存取存储器 | ||
【主权项】:
1.一种磁随机存取存储器的写入方法,包括如下步骤:对具有易轴和难轴的磁致电阻效应元件,施加平行于所述难轴的第一磁场,之后,对所述磁致电阻效应元件同时施加比所述第一磁场更弱的平行于所述难轴的第二磁场和平行于所述易轴的第三磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03154513.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。