[发明专利]静电射频微电机械系统开关无效
申请号: | 03154570.X | 申请日: | 2003-08-19 |
公开(公告)号: | CN1485873A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | 宋寅相;金永一;李文喆;沈东河;弘荣泽;朴仙姬;南光佑 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李瑞海;王景刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种微型开关,包括:形成在基底上的电介质层,该电介质层具有移动区;导电层,形成在移动区的预定部分上;电介质薄膜,形成在导电层上;第一和第二电导体,在电介质薄膜的上方的预定距离形成;一个或两个下电极,形成在移动区上;以及一个或两个上电极,在下电极上方的预定距离形成,当在上电极和下电极之间产生静电力时,两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动,并且使第一和第二电导体电容联接,以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高,结构简单,并且可以以非常简单的加工过程制造。 | ||
搜索关键词: | 静电 射频 微电机 系统 开关 | ||
【主权项】:
1、一种微型开关,该开关包括:基底;形成在该基底上的电介质层,该电介质层具有由电介质层的预定部分形成的移动区,该移动区借助于形成在移动区两侧上的铰接部分上下移动;导电层,形成在移动区的预定部分上;电介质薄膜,形成在导电层上;第一和第二电导体,在电介质薄膜的上方的预定距离处形成;两个下电极,形成在移动区上;以及两个上电极,在两个下电极上方的预定距离处形成,当在下电极内产生静电力时,该两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动,并且与第一和第二电导体电容联接,以便使电流信号在第一和第二电导体之间流动。
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