[发明专利]阵列式单横模表面发射型激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03154595.5 | 申请日： | 2003-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1585217A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 陈志诚 | 申请（专利权）人： | 和心光通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/32;H01S5/34;H01S5/065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多个发光窗口的单横模表面发射型激光装置及其制造方法。该方法涉及扩散杂质到分布式布拉格反射镜层中以形成掺杂区，由此产生杂质诱发混乱(impurity induced disordering)效应，以抑制高阶横向模。此外，该发射激光装置的多个发光窗口可以被设计用来构成一维或二维阵列结构，以改善单横模表面发射型激光装置的输出功率、电阻和操作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 式单横模 表面 发射 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列式单横模表面发射型激光装置，包括：半导体衬底，其具有第一表面和位于该第一表面相反侧的第二表面；第一型分布式布拉格反射镜层，其形成于半导体衬底的第一表面上；第一型电极，其形成于半导体衬底的第二表面上；第一型包覆层，其形成于第一型分布式布拉格反射镜层上；有源层，其形成于第一型包覆层上，且包括至少一个有源发光区及多个电流限制结构区；第二型包覆层，其形成于有源层上；第二型分布式布拉格反射镜层，其形成于第二型包覆层上，且具有多个掺杂区及多个发光窗口，其中该些发光窗口为未形成掺杂区的第二型分布式布拉格反射镜层的上表面，而该些掺杂区由第二型分布式布拉格反射镜层的上表面向下形成至一预定的深度；以及第二型电极，其形成于掺杂区的表面上。
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