[发明专利]横向相变存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 03154682.X | 申请日： | 2003-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1507088A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | G·C·维克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施例，主要提供一种横向相变存储器和一种制造相变存储器的方法。该方法包括在衬底之上形成导电材料并构图该导电材料以便由该导电材料形成两个电极，其中两个电极分开相距一个亚光刻距离。该方法还包括在两个电极之间形成一种相变材料。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在一衬底之上形成导电材料；去除该导电材料的一部分以便由该导电材料形成两个电极，其中该两个电极分开一亚光刻距离；以及在该两个电极之间形成相变材料。
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