[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 03154693.5 | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1481055A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 田中明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不降低可靠性的高光输出功率的半导体激光器元件。在具有带隙比发光区宽的窗口区的窗口结构的半导体激光器元件中，背面侧窗口区的带隙比前面侧窗口区的带隙窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，具有：衬底；第1导电型覆盖层，形成在上述衬底上；有源层，形成在上述第1导电型覆盖层上，是交替多次叠层由InGaAlP系半导体构成的势阱层和InGaAlP系半导体构成的势垒层而成的多重量子势阱结构，通过电流注入从发光区向相互相对的第1端面和第2端面放射光；第2导电型覆盖层，形成在上述有源层上；第1窗口区，是形成在上述第1端面附近的区域，该区域的上述势阱层的带隙比上述发光区的上述势阱层的带隙宽；及第2窗口区，是形成在上述第2端面的附近的区域，该区域的上述势阱层的带隙比上述发光区的上述势阱层的带隙宽，比上述第1窗口区的上述势阱层的带隙窄，该上述第2窗口区的上述势阱层的带隙和上述发光区的上述势阱层的带隙之差，以波长变化量表示为不小于10nm、不大于30nm。
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