[发明专利]微电子工艺和结构有效
| 申请号： | 03154813.X | 申请日： | 2003-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1487579A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | R·塞齐 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 龚海军 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及将空气作为电介质集成到半导体器件中的方法和用该方法生产的以空气层作为电介质的半导体器件，该方法包括下述步骤：a、在衬底(1)上涂布将要形成图案的电介质层(2)；b、在已经涂布的电介质层(2)上形成图案；c、在形成图案的电介质层(2)上涂布导电金属(3)，由导电金属(3)和电介质层(2)形成共用表面；d、在步骤c产生的层上涂布有机电介质层(4)；和e、为了形成用空气作为导体结构之间的电解质且在顶面上有连续电介质层(4)的布置，使用这种方式形成的涂层衬底与含氟化合物接触。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 工艺 结构 | ||
【主权项】：
1、一种将空气作为电介质集成到半导体器件中的方法，包括下述步骤：a、在衬底(1)上涂布将要形成图案的电介质层(2)；b、在已经涂布的电介质层(2)上形成图案；c、在形成图案的电介质层(2)上涂布导电金属(3)，由导电金属(3)和电介质层(2)形成共用表面；d、在步骤c产生的层上涂布有机电介质层(4)；和e、为了形成用空气作为导体结构之间的电解质且在顶面上有连续电介质层(4)的布置，使用这种方式形成的涂层衬底与含氟化合物接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
