[发明专利]结晶化状态的原位置监测方法无效
申请号: | 03154879.2 | 申请日: | 2003-08-20 |
公开(公告)号: | CN1487577A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | 高见芳夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 徐申民 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种结晶化状态的原位置(in-situ)监测方法及装置,在能量束的照射区域中,对于从熔融变换到固化以及结晶化的位置能够进行监测,而且能将薄膜的结晶化状态,以高时间分辨率地、实时地进行正确监测。本发明结晶化状态的原位置(in-situ)监测方法,用于达成薄膜的结晶化以及结晶化促进的至少一方而进行能量束照射的激光退火处理,其特征在于,在前述能量线照射之前、中间以及之后的至少中间或之后,将用来监视前述薄膜的结晶化状态的监测光,直接地或透过前述衬底,对具有前述薄膜的表面以及背面的至少其中一面的预定面积的区域内的多个监测部位,同时进行照射,并且将来自前述监测光的前述薄膜的前述表面或前述背面的反射光以及透过光的至少一方的光强度的时间变化进行测量,作为与前述监视用部位处的位置相关联的光强分布。 | ||
搜索关键词: | 结晶 状态 位置 监测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种结晶化状态的原位置监测方法,用在为了实现薄膜的结晶化以及促进结晶化过程的至少一种过程,而进行能量束照射的退火处理的过程中,其特征在于,它包括:在所述能量束照射之前、中间以及之后的至少中间或之后,将用来监视所述薄膜的结晶化状态的监测光,直接地或透过所述衬底,对具有所述薄膜的表面以及背面的至少其中一面的预定面积的区域的多个监测部位同时进行照射的监测光照射步骤;以及将来自所述监测光的所述薄膜的所述表面或所述背面的反射光以及透过光的至少一方的光强度的时间变化进行测量,作为与所述监测部位的位置相关的光强分布的测量步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社液晶先端技术开发中心,未经株式会社液晶先端技术开发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03154879.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有气泡消除装置的监测系统
- 下一篇:传送装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造