[发明专利]薄膜晶体管结构无效
| 申请号： | 03154940.3 | 申请日： | 2003-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1591905A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈坤宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管结构，其包含有一衬底，一半导体层以及一栅极设于该衬底上。其中该半导体层包含有一沟道区，两轻掺杂漏极以及两源极/漏极，该栅极与该等轻掺杂漏极相对称，且该栅极的两侧壁与其相邻的各该轻掺杂漏极相堆叠，该等轻掺杂漏极与该等源极/漏极间的界面未与该栅极相堆叠，该等源极/漏极也未与该栅极相堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管结构，其包含有：一衬底；一半导体层设于该衬底上，该半导体层包含有一沟道区，两轻掺杂漏极，以及两源极/漏极；以及一栅极设于该衬底上，该栅极与该等轻掺杂漏极相对称，且该栅极的两侧壁与其相邻的各该轻掺杂漏极相堆叠，该等轻掺杂漏极与该等源极/漏极间的界面未与该栅极相堆叠，该等源极/漏极也未与该栅极相堆叠。
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