[发明专利]非易失性存储装置无效
| 申请号： | 03154987.X | 申请日： | 2003-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1487530A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 田村隆之;高瀨贤順;首籘新一;中村靖宏;熊原千明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种装有非易失性存储器和控制器的非易失性存储装置，它实现了改善读/写速率性能和改善了抗御保持错误的能力。非易失性存储器可储存2位或多位信息，并可执行第一读取操作从非易失性存储单元读取1位的输出信息，以及执行第二读取操作输出2位的读取信息。控制器执行第一读取操作来从非易失性存储器读取第一信息，以及执行第二读取操作来读取第二信息。第一读取操作的读取速率快于第二读取操作。在向待读的第一区写入时，使用上限或下限阈值电压分布的电压作为阈值电压，使抗御第一信息保存错误的能力得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包含非易失性存储器和控制器，其中所述非易失性存储器有多个非易失性存储单元，每个非易失性存储单元都能储存n位信息，并可执行输出从所述非易失性存储单元读取的m位信息的第一读取操作，以及输出从所述非易失性存储单元读取的n位信息的第二读取操作，其中，n为2以上的整数且m为小于n的整数，其中所述控制器执行所述第一读取操作来从所述非易失性存储器读取第一信息，以及执行所述第二读取操作从所述非易失性存储器读取第二信息。
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