[发明专利]用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET有效
| 申请号： | 03155080.0 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1487597A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·H·丹纳德;维尔弗理德·E·何恩什;哈赛恩·I·汉纳非 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种制作SOI金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法。此SOI MOSFET含有多晶硅背栅来控制含多晶硅前栅的阈值电压。在SOI MOSFET器件中背栅起动态阈值电压控制系统的作用，因为它适用于电路/系统运行期间和闲置期间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 动态 阈值 电压 控制 多晶 硅背栅 soi mosfet | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅金属氧化物场效应晶体管器件包含：在氧化层上的离子注入背栅区，其中在所述离子注入背栅区的表面部分上制作有背栅氧化物；在所述背栅氧化物上的本体区；在所述本体区表面部分上的栅介电层；以及在部分所述栅介电层上的多晶硅栅。
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