[发明专利]非易失性半导体存储器的数据擦除方法

摘要

本发明的课题是，在非易失性半导体存储器的数据擦除方法中，实现擦除工作的稳定化和高速化。所采取的措施是：通过在脉冲施加工作前进行验证工作来取消不必要的脉冲施加工作。

主权项

1、一种非易失性半导体存储器的数据擦除方法，它是具备如下部分的非易失性半导体存储器的数据擦除方法，这些部分是：包含配置成矩阵状的多个非易失性存储晶体管、分别选择上述存储晶体管的行的多条字线和分别与上述存储晶体管的列对应地设置的多条位线，同时被分割成多个存储器块的存储单元阵列；产生对上述字线、上述位线、上述存储晶体管的衬底部和源施加的电位的电位发生部；以及控制上述电位发生部，对上述存储晶体管一起、或者对上述每个存储器块擦除数据的写入/擦除控制部，其特征在于：包括：对上述存储晶体管一起施加预备写入脉冲的步骤；在上述存储晶体管不处于第1擦除状态时，改变第2次以后的上述第1擦除脉冲施加工作的上述第1擦除脉冲的强度重复对上述存储晶体管一起施加第1擦除脉冲的工作，直至上述存储晶体管成为上述第1擦除状态的步骤；在上述存储晶体管不处于恢复状态时，改变第2次以后的上述写入脉冲施加工作的上述写入脉冲的强度重复对上述存储晶体管一起施加写入脉冲的工作，直至上述存储晶体管成为上述恢复状态的步骤；在上述存储晶体管不处于第2擦除状态时，改变第2次以后的上述第2擦除脉冲施加工作的上述第2擦除脉冲的强度重复对上述存储晶体管一起施加第2擦除脉冲的工作，直至上述存储晶体管成为上述第2擦除状态的步骤；以及在上述存储晶体管处于过擦除状态时，重复有选择地对上述存储晶体管进行恢复的工作，直至上述存储晶体管成为不处于上述过擦除状态的步骤。