[发明专利]功率转换改进的垂直空腔发光器件无效

专利信息
申请号: 03155111.4 申请日: 2003-08-20
公开(公告)号: CN1485936A 公开(公告)日: 2004-03-31
发明(设计)人: K·B·卡亨 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L51/20 分类号: H01L51/20;H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华;王其灏
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种响应入射外部光,产生有加宽谱线线宽准激光,而选来改进功率转换效率的垂直空腔发光器件,其包括基片:在预定波长范围内反光的底介质叠层;以及产生准激光的有机活性区。此器件还包括同底介质叠层隔开、在预定波长范围内反光的顶介质叠层;其活性区包括一个或多个定期增益区,以及配置在该定期增益区每一面上的有机隔离层,要安装使得该定期增益区同此器件的驻波电磁场的波腹对准;并且顶或底介质叠层要这选择,使得其峰反射率小于99%,并使得此器件的谱线线宽增加且产生可接受程度的自发射。
搜索关键词: 功率 转换 改进 垂直 空腔 发光 器件
【主权项】:
1.响应外部入射光产生有加宽谱线线宽准激光而选来改进功率转换效率的一种垂直空腔发光器件,其包括:a)基片;b)在一预定波长范围内反光的底介质叠层;c)产生准激光的有机活性区;d)同底介质叠层隔开并在预定波长范围内反光的顶介质叠层;e)该有机活性区包括一个或多个定期增益区以及配置在该定期增益区每一面上的有机隔离层,并且要安装要使得该定期增益区同此器件的驻波电磁场的波腹对准;f)顶或底介质叠层要这样选择,使得其峰反射率小于99%,并使得此器件的谱线线宽增加且产生可接受程度的自发射,从而导致功率转换效率的改进。
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