[发明专利]临界电压及沟道长度调节补偿的固定电流源

摘要

本发明涉及一种临界电压及沟道长度调节补偿的固定电流源，其包含第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管及第五MOS晶体管，各晶体管分别具有栅极、第一端以及第二端。该第二MOS晶体管的第一端耦合至负载阻抗，其第二端耦合至该第一MOS晶体管的第一端。该第三晶体管的栅极及第一端共耦合至该第二MOS晶体管的栅极，其第二端耦合至该第四MOS晶体管的第一端。又该第四MOS晶体管的栅极及第一端共耦合至该第一MOS晶体管的栅极，其第二端耦合至第一参考电压。该第五MOS晶体管的栅极及第二端分别耦合至第二参考电压及第三参考电压，其第一端耦合至该第三晶体管的栅极及第一端。

主权项

1.一种临界电压及沟道长度调节补偿的固定电流源，包含：一第一金属氧化物半导体晶体管，具有一栅极、第一端和第二端；一第二金属氧化物半导体晶体管，具有一栅极、第一端和第二端，其第二端电连接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的第一端；一第三金属氧化物半导体晶体管，具有一栅极、第一端和第二端，其栅极及第一端电连接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极；一第四金属氧化物半导体晶体管，具有一栅极、第一端和第二端，其栅极和第一端电连接至该第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和该第三金属氧化物半导体晶体管的第二端，而其第二端电连接至第一参考电压；一第五金属氧化物半导体晶体管，电连接至所述第三金属氧化物半导体晶体管的栅极和第一端，该第五金属氧化物半导体晶体管是充当一电阻的功能。