[发明专利]只读存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种只读存储器及其制造方法。第一种程序化方法通过电压Vt植入和氧化法来调整只读存储单元的门限电压，以得到四阶只读存储器。第一种和第二种ROM编码分别具有门限电压Vt₁和Vt₂，分别进行一道和两道电压Vt植入制作过程及形成薄栅极氧化层。第三种和第四种ROM编码分别具有门限电压Vt₃和Vt₄，分别进行一道和两道电压Vt植入制作过程及形成厚栅极氧化层。第二种程序化方法通过接触窗控制只读存储单元是否连接至比特线，得到不会有植入编码偏移问题的二阶只读存储器。另外，上述两种程序化方法可以组合，这样每一只读存储单元拥有五种ROM编码可选择。

主权项

1.一种只读存储器，其特征在于，包括：第一ROM编码层，具有第一门限电压，且进行第一电压Vt调整制作过程及形成薄栅极氧化层；第二ROM编码层，具有第二门限电压，且进行第二电压Vt调整制作过程及形成该薄栅极氧化层；第三ROM编码层，具有第三门限电压，且进行该第一电压Vt调整制作过程及形成厚栅极氧化层；以及第四ROM编码层，具有第四门限电压，且进行该第二电压Vt调整制作过程及形成该厚栅极氧化层。