[发明专利]光学光刻方法

摘要

本发明提供一种光学光刻方法，更具体地，提供一种在光致抗蚀剂层中形成多个呈阵列排列的分离的封闭图案的方法。提供一相位移掩模，其包括多个第一、二相位移透光区域和一非相位移区域。第一、二相位移透光区域呈有规律性的交错阵列排列。并且第一、二相位移透光区域被非相位移区域分隔。进行一曝光工艺以在光致抗蚀剂层内形成分别对应于第一、二相位移透光区域的封闭图案。

主权项

1.一种光学光刻方法，该方法用于在一基板上的一光致抗蚀剂层内形成多个封闭图案，且该些图案互相分离并呈阵列排列，该光学光刻方法包括下列步骤：提供一相位移掩模，其上包含有多个第一相位移透光区域、多个第二相位移透光区域以及一非相位移区域，该些第一相位移透光区域与该些第二相位移透光区域呈有规律性的交错阵列排列，且第一相位移透光区域与第二相位移透光区域之间被该非相位移区域所分隔并具有相位差；以及进行一曝光工艺，使光线照射该相位移掩模，以在该光致抗蚀剂层内形成分别对应于第一相位移透光区域和第二相位移透光区域的封闭图案。