[发明专利]具有高架源/漏结构的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03155567.5 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1487598A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 森年史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个栅极形成在半导体基片的部分表面上，一个栅绝缘膜被插入在它们之间。第一半导体膜形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面上，该第一半导体膜与栅极相隔离。杂质扩散区形成在每个第一半导体膜中。外延区形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面层中。该外延区被掺杂有与杂质扩散区相同导电型的杂质，并且连接到相应一个杂质扩散区。侧壁衬垫由绝缘材料所制成并且形成在栅极的侧壁上，该侧壁衬垫延伸出在栅极侧面上的第一半导体膜的边界并且覆盖第一半导体膜的部分表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高架源 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片的部分表面上的栅极，一个栅绝缘膜被插入在它们之间；由半导体材料所制成并且形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面上的第一半导体膜，每个第一半导体膜与栅极隔开一定的距离；形成在每个第一半导体膜中的杂质扩散区；形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面层中的外延区，每个外延区被掺杂有与杂质扩散区相同导电型的杂质，并且连接到相应一个杂质扩散区；以及由绝缘材料所制成并且形成在栅极的侧壁上的侧壁衬垫，该侧壁衬垫延伸出在栅极侧面上的第一半导体膜的边界并且覆盖第一半导体膜的部分表面。
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