[发明专利]形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 03155605.1 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1591801A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 翁健森;张志清 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法。该方法定义硅晶种以形成多晶硅层，其包括以下步骤。首先，在一基板上形成一牺牲层，图案化此牺牲层，以在此牺牲层中形成一开口。接着，在牺牲层和基板上形成一第一非晶硅层，蚀刻此第一非晶硅层，而于开口内留下硅晶种。接着，除去牺牲层，在硅晶种上形成一第二非晶硅层。最后，使第二非晶硅层结晶而形成一多晶硅层。本发明可精确控制硅晶种在沟道区位置产生，可增大晶粒尺寸，并可降低沟道区所涵盖的晶界数目。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种定义硅晶种以形成多晶硅层的方法，其包括：在一基板上形成一牺牲层；图案化该牺牲层，以在该牺牲层中形成一开口；在该牺牲层和该基板上形成一第一非晶硅层；蚀刻该第一非晶硅层，而于开口内留下硅晶种；除去该牺牲层；在该硅晶种上形成一第二非晶硅层；以及使该第二非晶硅层结晶而形成一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
