[发明专利]改进的垂直MOSFET DRAM单元间隔离的结构和方法

摘要

一种用于形成具有背对背FET单元的垂直晶体管存储单元结构的方法，该背对背FET单元在平面半导体衬底中形成，该平面半导体衬底具有带垂直FET器件的多个深槽和每个都位于形成在半导体衬底中的分开的槽中的多个电容。形成双侧向外扩散环带区延伸入衬底中的掺杂的半导体阱区。有面对面(confronting)的向外扩散环带区对，从邻近的深槽延伸入掺杂阱区。在掺杂阱中形成隔离扩散区，通过在其间延伸而分开面对面的隔离扩散区。

主权项

1.一种用于形成垂直晶体管存储单元结构的方法，所述垂直晶体管存储单元结构具有：在平面半导体衬底中形成的背对背FET单元，所述平面半导体衬底具有带垂直FET器件的多个深槽和每个都位于在半导体衬底中的掺杂区中形成的分开的槽中的多个电容；双侧向外扩散环带区，其延伸入该掺杂区中而形成；以及邻近的深槽，其使面对面的向外扩散区对从邻近深槽延伸入该掺杂区，所述方法包括下述步骤：在使面对面的向外扩散环带区分开的所述背对背单元之间的所述掺杂区中形成隔离扩散区。